高溫四探針測(cè)試儀是研究高溫條件下半導(dǎo)體或絕緣材料導(dǎo)電性能的測(cè)試儀器，可以實(shí)現(xiàn)高溫、真空、氣氛條件下測(cè)量薄膜方塊電阻、電阻率，可以實(shí)現(xiàn)常溫、變溫、恒溫條件的I-V、R-T、R-t等測(cè)量功能，可以分析電阻率pv與溫度T變化的曲線，一體化集成設(shè)計(jì)，是用于變溫、真空及氣氛條件下測(cè)試半導(dǎo)體材料電學(xué)性能的測(cè)量系統(tǒng)。
 

　　高溫四探針測(cè)試儀采用手動(dòng)升降平臺(tái)，該平臺(tái)可以將樣品和電極夾具一起沉降到高溫爐中，并保證樣品和測(cè)量傳感器盡可能接近，確保測(cè)量溫度與樣品溫度的一致性；高溫爐膛采用纖維一體開模鑄造而成，內(nèi)部配有超溫報(bào)警電路，確保爐膛不易燒壞。采用由四探針雙電測(cè)量方法測(cè)試方阻和電阻率系統(tǒng)與高溫試驗(yàn)箱結(jié)合配置專用的高溫測(cè)試探針治具，滿足半導(dǎo)體材料因溫度變化對(duì)電阻值變化的測(cè)量要求，通過測(cè)控軟件可以顯示出溫度與電阻，電阻率，電導(dǎo)率數(shù)據(jù)的變化曲線，是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的工具。
 

　　高溫四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測(cè)量，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析，自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，它與單電測(cè)直線或方形四探針相比，大大提高精確度，也可應(yīng)用于產(chǎn)品檢測(cè)以及新材料電學(xué)性能研究等用途。